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赋能新能源产业的高效能半导体核心
核心技术优势（对比传统硅基器件）碳化硅（SiC）功率器件在耐高温、耐高压、低损耗等核心性能上，全面超越传统硅基IGBT器件。根据中国半导体行业协会2025年Q3功率半导体报告，SiC MOSFET的击穿电压可达2000V以上，是同规格硅基IGBT（1200V）的1.7倍；其开关损耗仅为硅基I…
2025-08-16 -
支撑算力网络与5.5G通信的核心传输元件
核心技术优势（对比传统传输方案）高速光模块在数据传输速率、带宽密度与能耗效率上，全面超越传统电传输方案及低速率光模块。根据中国通信标准化协会2025年Q3报告，800Gbps相干光模块的单通道传输速率达100Gbps，是400G光模块（50Gbps/通道）的2倍，且传输带宽密度提升至…
2025-04-16 -
重构智能终端声学感知的核心元件
核心技术优势（对比传统麦克风方案）MEMS（微机电系统）麦克风在小型化、抗干扰性、一致性及集成度上，全面超越传统驻极体麦克风（ECM）。根据中国电子元件行业协会2025年Q3声学元件报告，车规级MEMS麦克风的体积可缩小至1.0mm1.5mm0.5mm，较同性能ECM（3.5mm4.0mm1.2mm）…
2024-12-16
